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供應(yīng)和回收晶體管 IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1 1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
明佳達(dá)供應(yīng)和回收晶體管 IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1 1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET，采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進(jìn)的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化兼具性能與可靠性。
明佳達(dá)供應(yīng)和回收晶體管 IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1 1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
產(chǎn)品型號(hào)：IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1
品牌：Infineon
批號(hào)：21+
封裝：TO-247-3
描述：采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進(jìn)的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢(shì)，例如1200 V開(kāi)關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒(méi)有反向恢復(fù)損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒(méi)有拐點(diǎn)電壓的導(dǎo)通特性。因此，CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。
特征描述
出類拔萃的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
高閾值電壓，Vth > 4 V
0V關(guān)斷柵極電壓，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)
寬柵源電壓范圍
堅(jiān)固的低損耗體二極管，適用于硬開(kāi)關(guān)
關(guān)斷損耗受溫度影響小
.XT擴(kuò)散焊技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)一流的熱性能
優(yōu)勢(shì)
最高效率
減少冷卻工作
更高頻率的運(yùn)行
增加功率密度
降低系統(tǒng)的復(fù)雜程度
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源（UPS）
電池化成
電動(dòng)汽車快速充電
電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
長(zhǎng)期回收碳化硅MOSFET IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1，只需原裝，翻新散新均不考慮，有原廠外包裝則優(yōu)先，有大量庫(kù)存需處理的請(qǐng)聯(lián)系我們！
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時(shí)間：2025-04-18
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