8 月 25 日消息，SK 海力士公司宣布其 321 層 2Tb QLC NAND 閃存產(chǎn)品已完成開發(fā)并正式投入量產(chǎn)。這一成果標(biāo)志著全球首次實現(xiàn)超過 300 層的 QLC 技術(shù)應(yīng)用，為 NAND 存儲密度樹立了新的標(biāo)桿。該公司計劃在完成全球客戶驗證后，于明年上半年正式推出該產(chǎn)品。為提升新產(chǎn)品的成…
8 月 25 日消息，SK 海力士公司宣布其 321 層 2Tb QLC NAND 閃存產(chǎn)品已完成開發(fā)并正式投入量產(chǎn)。這一成果標(biāo)志著全球首次實現(xiàn)超過 300 層的 QLC 技術(shù)應(yīng)用，為 NAND 存儲密度樹立了新的標(biāo)桿。該公司計劃在完成全球客戶驗證后，于明年上半年正式推出該產(chǎn)品。
為提升新產(chǎn)品的成本競爭力，SK 海力士開發(fā)了一種容量為 2Tb 的設(shè)備，其容量是現(xiàn)有解決方案的兩倍。為應(yīng)對大容量 NAND 可能出現(xiàn)的性能下降問題，公司還將芯片內(nèi)的平面（plane）數(shù)量從 4 個增加到 6 個。平面是芯片內(nèi)獨立操作單元，這一改變使得并行處理能力得到增強(qiáng)，顯著提升了同步讀取性能。
因此，與之前的 QLC 產(chǎn)品相比，321 層 QLC NAND 在容量和性能上都有顯著提升。數(shù)據(jù)傳輸速度翻倍，寫入性能最高提升 56%，讀取性能提升 18%。此外，寫入功耗效率提高了 23% 以上，在對低功耗要求極高的 AI 數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，其競爭力得到進(jìn)一步加強(qiáng)。
據(jù)了解，SK 海力士計劃首先將 321 層 NAND 應(yīng)用于 PC 固態(tài)硬盤，隨后拓展至數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級固態(tài)硬盤（eSSD）和智能手機(jī)的 UFS。借助其獨有的 32DP 技術(shù)，該技術(shù)可在單個封裝內(nèi)同時堆疊 32 個 NAND 芯片，SK 海力士有望通過實現(xiàn)兩倍的集成密度，進(jìn)軍超高容量 eSSD 市場，為 AI 服務(wù)器提供服務(wù)。
“隨著量產(chǎn)的開始，我們在高容量產(chǎn)品組合方面顯著增強(qiáng)了實力，并確保了成本競爭力?！盨K 海力士 NAND 開發(fā)部門負(fù)責(zé)人 Jeong Woopyo 表示，“我們將隨著數(shù)據(jù)中心市場對 AI 需求的爆炸性增長以及高性能要求的提升，作為全棧 AI 存儲提供商實現(xiàn)重大飛躍?！?/span>
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