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【產(chǎn)品】MPQ6631HGLTE | 35V、3A 峰值相電流、三相 BLDC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

來源：本站時(shí)間：2025-08-25瀏覽數(shù)：

MPQ6631HGLTE是一款集成功率MOSFET的三相直流無刷電機(jī) （BLDC）驅(qū)動(dòng)器，支持3.6V至35V寬電壓輸入，峰值相電流可達(dá)3A。以下是其核心特性：3.6V 至 35V 工作輸入電壓 (VIN) 范圍高達(dá) 3A的峰值相電流集成 160mΩ 上管 MOSFET (HS-FET) 和下管 MOSFET (LS-FET)正弦驅(qū)動(dòng)支持 0…

MPQ6631HGLTE是一款集成功率MOSFET的三相直流無刷電機(jī) （BLDC）驅(qū)動(dòng)器，支持3.6V至35V寬電壓輸入，峰值相電流可達(dá)3A。以下是其核心特性：

3.6V 至 35V 工作輸入電壓 (VIN) 范圍

高達(dá) 3A的峰值相電流

集成 160mΩ 上管 MOSFET (HS-FET) 和下管 MOSFET (LS-FET)

正弦驅(qū)動(dòng)

支持 0V 至 1.2V 直流輸入或 1kHz 至 100kHz 脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入

支持三霍爾或單霍爾輸入

閉環(huán)/開環(huán)速度控制

方向/制動(dòng)輸入

節(jié)能模式

0.5s/4.5s堵轉(zhuǎn)保護(hù)

過流保護(hù) (OCP)

每電周期單脈沖或三脈沖 FG 輸出

FG信號(hào)：轉(zhuǎn)速指示

軟啟動(dòng) (SS) 以實(shí)現(xiàn)低噪聲與電流過沖

采用側(cè)面鍍錫的 TQFN-26 (3mmx4mm) 封裝

符合AEC-Q100 等級(jí)1認(rèn)證

電路圖.png

詳情

MPQ6631HGLTE是一款具有集成功率 MOSFET 的三相無刷直流 (BLDC) 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。MPQ6631HGLTE可通過一個(gè)或三個(gè)外部霍爾傳感器驅(qū)動(dòng)三相 BLDC 電機(jī)。在 3.6V 至 35V 輸入電壓 (VIN) 范圍內(nèi)，其峰值相電流高達(dá) 3A。

MPQ6631HGLTE通過脈寬調(diào)制 (PWM) 信號(hào)或 PWM/DC 引腳上的 DC 信號(hào)進(jìn)行閉環(huán)/開環(huán)控制，從而控制電機(jī)速度。它具有內(nèi)置可調(diào)速度曲線功能，另外還通過一個(gè)正弦驅(qū)動(dòng)器來實(shí)現(xiàn)最大扭矩以及全速范圍內(nèi)的低速紋波和低噪聲。

MPQ6631HGLTE具有轉(zhuǎn)速檢測功能。轉(zhuǎn)速檢測器（FG/RD 引腳）提供開漏輸出，輸出高于或低于霍爾傳感器比較器輸出的電壓。MPQ6631HGLTE還通過 DIR 引腳輸入實(shí)現(xiàn)方向的控制。

MPQ6631HGLTE提供豐富的保護(hù)功能，包括輸入過壓保護(hù) (OVP)、欠壓鎖定 (UVLO)保護(hù)、堵轉(zhuǎn)保護(hù)、過流保護(hù) (OCP) 和過溫關(guān)斷保護(hù)。

MPQ6631HGLTE采用側(cè)面鍍錫的 TQFN-26 (3mmx4mm) 封裝。它符合 AEC-Q100 等級(jí)1認(rèn)證。

典型應(yīng)用

MPQ6631HGLTE適用于需要高精度速度控制和低噪聲的工業(yè)設(shè)備，如無人機(jī)、機(jī)器人等對性能要求較高的場景。

立即聯(lián)系：歡迎訪問明佳達(dá)電子官網(wǎng)（www.cyprusfundmanagement.com）查詢MPQ6631HGLTE庫存，或致電 +86 13410018555（陳先生）獲取產(chǎn)品采購報(bào)價(jià)。

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