最新資訊東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器…
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產(chǎn)品配備其最新第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器件于今日開始支持批量出貨。
三款新產(chǎn)品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝相比，可將器件體積銳減80%以上，并提升設(shè)備功率密度。
此外，TOLL封裝還具有比通孔封裝更小的寄生阻抗，從而降低開關(guān)損耗。作為一款4引腳封裝，支持對(duì)其柵極驅(qū)動(dòng)的信號(hào)源端子進(jìn)行開爾文連接。這減少封裝內(nèi)部源極線電感的影響，實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)性能；在TW048U65C的外殼中，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品]相比，其開通損耗降低約55%，關(guān)斷損耗降低約25%，有助于降低設(shè)備功耗。
未來(lái)東芝將繼續(xù)擴(kuò)大其SiC功率器件產(chǎn)品線，為提高設(shè)備效率和增加功率容量做出貢獻(xiàn)。
應(yīng)用：
-服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等中的開關(guān)電源
-電動(dòng)汽車充電站
-光伏逆變器
-不間斷電源
特性：
-表面貼裝TOLL封裝，實(shí)現(xiàn)設(shè)備小型化和自動(dòng)化組裝，低開關(guān)損耗
-東芝第3代SiC MOSFET
·通過(guò)優(yōu)化漂移電阻與溝道電阻比，實(shí)現(xiàn)漏源導(dǎo)通電阻的良好溫度依賴性
·低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷
·低二極管正向電壓：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）
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