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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

LMG3526R030RQSR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明:具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 650V 30m? GaN FET

封裝:VQFN-52
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3427R030RQZR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明:具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 30mΩ GaN FET

封裝:VQFN-54
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG2100R026VBNR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明:100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)

封裝:18-VQFN-FCRLF
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3100R044VBER
TI

產(chǎn)品說(shuō)明:具有集成驅(qū)動(dòng)器的 100V 4.4mΩ GaN FET

封裝:15-VQFN-FCRLF
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NTBZ

產(chǎn)品說(shuō)明:氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i

封裝:CCPAK1212i
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NBBHP

產(chǎn)品說(shuō)明:氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 60A(Tc) 300W(Tc) CCPAK1212

封裝:CCPAK1212
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANB4R8-040CBAZ

產(chǎn)品說(shuō)明:氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)

封裝:WLCSP-22
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GANE3R9-150QBAZ

產(chǎn)品說(shuō)明:氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 150 V 100A(Ta) 65W(Ta)VQFN

封裝:VQFN-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3624REQR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明:650V 170mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能

封裝:VQFN-38
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3426R030RQZR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明:600V 30mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能

封裝:54-VQFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG2100R044RARR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明:100V 4.4mΩ 半橋 GaN FET,帶集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能

封裝:WQFN-16
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G26H605W19NR3
NXP

產(chǎn)品說(shuō)明:2496–2690MHz,85W平均值,48V Airfast?射頻功率GaN晶體管

封裝:OM?780?4S4S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G21H605W19NR3
NXP

產(chǎn)品說(shuō)明:2110-2200MHz,85W平均值,48V Airfast?射頻功率GaN晶體管

封裝:OM- 780- 4S4S
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN063-650WSAQ

產(chǎn)品說(shuō)明:通孔 N 通道 650 V 34.5A(Ta) 143W(Ta) TO-247-3

封裝:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN041-650WSBQ

產(chǎn)品說(shuō)明:通孔 N 通道 650 V 47.2A 187W TO-247-3

封裝:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN140-650EBEZ

產(chǎn)品說(shuō)明:650 V、140 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 封裝

封裝:DFN8080-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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