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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

LMG3526R030RQSR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明：具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 650V 30m? GaN FET

封裝：VQFN-52
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3427R030RQZR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明：具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 30mΩ GaN FET

封裝：VQFN-54
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG2100R026VBNR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明：100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)

封裝：18-VQFN-FCRLF
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3100R044VBER
TI

產(chǎn)品說(shuō)明：具有集成驅(qū)動(dòng)器的 100V 4.4mΩ GaN FET

封裝：15-VQFN-FCRLF
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NTBZ

產(chǎn)品說(shuō)明：氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 58.5A（Tc） 250W（Tc） CCPAK1212i

封裝：CCPAK1212i
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN039-650NBBHP

產(chǎn)品說(shuō)明：氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 60A（Tc） 300W（Tc） CCPAK1212

封裝：CCPAK1212
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GANB4R8-040CBAZ

產(chǎn)品說(shuō)明：氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 40 V 20A（Ta） 13W（Ta） 22-WLCSP（2.1x2.1）

封裝：WLCSP-22
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GANE3R9-150QBAZ

產(chǎn)品說(shuō)明：氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 150 V 100A（Ta） 65W（Ta）VQFN

封裝：VQFN-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3624REQR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明：650V 170mΩ GaN FET，帶集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能

封裝：VQFN-38
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3426R030RQZR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明：600V 30mΩ GaN FET，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能

封裝：54-VQFN
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG2100R044RARR
TI

產(chǎn)品說(shuō)明：100V 4.4mΩ 半橋 GaN FET，帶集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能

封裝：WQFN-16
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G26H605W19NR3
NXP

產(chǎn)品說(shuō)明：2496–2690MHz，85W平均值，48V Airfast?射頻功率GaN晶體管

封裝：OM?780?4S4S
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
A5G21H605W19NR3
NXP

產(chǎn)品說(shuō)明：2110-2200MHz，85W平均值，48V Airfast?射頻功率GaN晶體管

封裝：OM- 780- 4S4S
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN063-650WSAQ

產(chǎn)品說(shuō)明：通孔 N 通道 650 V 34.5A（Ta） 143W（Ta） TO-247-3

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN041-650WSBQ

產(chǎn)品說(shuō)明：通孔 N 通道 650 V 47.2A 187W TO-247-3

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GAN140-650EBEZ

產(chǎn)品說(shuō)明：650 V、140 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET，采用 DFN 8 mm x 8 mm 封裝

封裝：DFN8080-8
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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