商品名稱:MT53E256M32D2DS-046?AIT:B
數(shù)據(jù)手冊:MT53E256M32D2DS-046?AIT:B.pdf
品牌:Micron
年份:23+
封裝:200-WFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
Micron LPDDR4內(nèi)存優(yōu)化用于解決電池供電應(yīng)用中的功耗問題。與DDR4相比,這些內(nèi)存器件的峰值帶寬快33%。與標(biāo)準(zhǔn)DRAM相比,LPDDR4內(nèi)存在待機(jī)模式下的功耗降低至1/5。這些內(nèi)存器件采用多芯片封裝 (MCP) 和封裝體疊層 (PoP) 設(shè)計(jì),可節(jié)省PCB空間。
器件:MT53E256M32D2DS-046 AIT:B
產(chǎn)品種類:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器
存儲器類型:易失
存儲器格式:DRAM
技術(shù):SDRAM - Mobile LPDDR4
存儲容量:8Gb
存儲器組織:256M x 32
存儲器接口:-
時(shí)鐘頻率:2.133 GHz
寫周期時(shí)間 - 字,頁:-
電壓 - 供電:1.1V
工作溫度:-40°C ~ 95°C(TC)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:200-WFBGA
供應(yīng)商器件封裝:200-WFBGA(10x14.5)
基本產(chǎn)品編號:MT53E256
LPDDR4內(nèi)存器件適合用于手持設(shè)備、電池供電應(yīng)用和超便攜設(shè)備。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Micron是全球著名的半導(dǎo)體存儲器方案供應(yīng)商。該公司的存儲器方案被應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及外設(shè)、消費(fèi)電子、CAD/CAM、通信、辦公室自動化、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)處理、圖形顯示等。公司1978年組建,總部位于美國愛德荷州,有員工約16,000人,擁有全球化的生產(chǎn)、銷售網(wǎng)點(diǎn)。目前主要生產(chǎn)DRAM、…
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