GCMX005A120B3B1P是一款采用半橋封裝的1200V、383A 高性能QSiC?電源模塊。SemiQ 新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉換器應用中提供可靠、高效的運行。
產品屬性
技術：碳化硅（SiC）
配置：4 N 溝道（半橋）
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源電壓（Vdss）：1200V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：383A (Tc)
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：7mOhm @ 200A, 20V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 80mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：927nC @ 20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：23500pF @ 800V
功率 - 最大值：1.154kW (Tc)
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
等級：-
資質：-
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
型號
品牌
封裝
數量
描述
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SemiQ 設計、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉換應用方面的專業(yè)知識，其中包括子系統(tǒng)設計和半定制模塊。SemiQ 服務于以下終端市場：電動汽車充電器和充電站、功率…
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