商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
C3M0045065D - 650V、45mΩ、49A、分立碳化硅功率 MOSFET 晶體管,采用 TO-247-3 封裝
產品概覽
Wolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET,擴大了其碳化硅 (SiC) 技術的領先優(yōu)勢,使更多電源系統(tǒng)實現(xiàn)了更小、更輕和更高效的功率轉換。650 V MOSFET 產品系列是高性能工業(yè)電源、服務器/電信電源、電動汽車充電系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、不間斷電源和電池管理系統(tǒng)等應用的理想之選。
產品屬性
技術:碳化硅
安裝方式:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
晶體管極性:N-通道
通道數(shù):1 通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:650 V
Id - 漏極連續(xù)電流:49 A
Rds On - 漏極-源極電阻:45 mOhms
Vgs - 柵極源極電壓:- 8 V,+ 19 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:3.6 V
Qg - 柵極電荷:63 nC
最低工作溫度:- 40°C
最高工作溫度:175°C
Pd - 功率耗散:176 W
通道模式:增強型
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術方面處于市場領先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領先的解決方案。Wolfspeed 的產品系列包括碳化硅材料、電源開關器件和射頻器件,涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
HAS310M17BM3
HAS310M17BM3 是 1700V 310A 碳化硅半橋模塊。HAS310M17BM3 的特點工業(yè)標準 62 mm 基底面外殼 CTI ≥ 600(I 類材料)符合 EN45545-2 R22/23 HL3 標準高濕度操作 THB-80 (HV-H3TRB)專為碳化硅優(yōu)化的低電感設計超低損耗、高頻運行常開、故障安全器件操作銅基板和氮化鋁絕緣…CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預應用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼,可降低爬電要求內置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預應用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼,可降低爬電要求內置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預應用熱接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領先碳化硅 MOSFET 技術高 CTI 外殼,可降低爬電要求內置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB5R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET,具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應用進行了優(yōu)化。典型應用包括:可再生能源、照明、高壓DC/DC轉換器、電信電源和感應加熱。C3M0280090J的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術:SiCFET(碳化硅…C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導通電阻和低電容高速開關。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應用包括可再生能源、高壓直流/直流轉換器、開關模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0160120D…電話咨詢:86-755-83294757
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