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NSF030120D7A0J N溝道SiC MOSFET采用標準7引腳TO-263塑料封裝（用于表面貼裝PCB技術），具有出色的RDSon 溫度穩(wěn)定性。NSF030120D7A0基于1200V功率MOSFET，開關速度快。得益于以上特性，該款MOSFET非常適合用于大功率和高壓工業(yè)應用，包括電動汽車充電基礎設施、光伏逆變器和電機驅動器。

NSF030120D7A0J的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：7 ns

Id-連續(xù)漏極電流：67 A

最大工作溫度：+ 175°C

最小工作溫度：- 55°C

安裝風格：SMD/SMT

通道數量：1 Channel

封裝 / 箱體：TO-263-7

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

封裝：MouseReel

Pd-功率耗散：306 W

產品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：113 nC

Rds On-漏源導通電阻：30 mOhms

上升時間：16 ns

工廠包裝數量：800

子類別：Transistors

技術：SiC

晶體管極性：N-Channel

典型關閉延遲時間：23 ns

典型接通延遲時間：17 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.9 V

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