商品名稱：碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌：ROHM
年份：24+
封裝：TO-263-7
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET，采用小型TO-263-7封裝。其特點包括耐高壓、低導通電阻和快速開關速度。
SCT3160KWATL的規(guī)格：
FET 類型：N 通道
技術：SiC
漏源電壓（Vdss）：1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：17A（Tj）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：208 毫歐 @ 5A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 2.5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：42 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+22V，-4V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：398 pF @ 800 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：-
工作溫度：175°C（TJ）
等級：-
資質：-
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：TO-263-7LA
封裝/外殼：TO-263-8，D2PAK（7 引線 + 凸片），TO-263CA
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導體廠商之一，總部所在地設在日本京都市，ROHM設計和制造半導體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
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RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管，具有低開關損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛；符合 R…
RGA80TSX2EHRC11
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RGA80TRX2HRC15
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RGA80TRX2EHRC15
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