商品名稱:SCT3080KLGC11
數(shù)據(jù)手冊(cè):SCT3080KLGC11.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1190 件
SCT3080KLGC11是1200V 31A的Nch SiC功率MOSFET。
器件屬性:
FET 類型: N 通道
技術(shù): SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss): 1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :31A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 104 毫歐 @ 10A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 5.6V @ 5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 60 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +22V,-4V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 785 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 165W(Tc)
工作溫度: 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝: TO-247N
封裝/外殼: TO-247-3
基本產(chǎn)品編號(hào): SCT3080
特點(diǎn):
低導(dǎo)通電阻
開關(guān)速度快
快速的反向恢復(fù)
易于并聯(lián)
驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單
無鉛鍍層;符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會(huì)社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長(zhǎng)的無線、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場(chǎng)均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
BSM600D12P4G103
BSM600D12P4G103是一款由SiC-DMOSFET組成的半橋功率模塊。非常適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器、轉(zhuǎn)換器、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電和IH設(shè)備等應(yīng)用。BSM600D12P4G103具有以下參數(shù):技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 N-通道(雙)FET 功能:-漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)25C 時(shí)電流 - 連續(xù)…BU97520AKV-ME2
BU97520AKV-ME2是一款 1/4 或 1/3 Duty 通用 LCD 驅(qū)動(dòng)器。RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點(diǎn)通過 AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TSX2EHRC11
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RGA80TRX2HRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2HRC15 的特點(diǎn)通過 AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合 R…RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15 是一種 IGBT 晶體管,具有低開關(guān)損耗和低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)。它是汽車應(yīng)用中電動(dòng)壓縮機(jī)和高壓加熱器以及工業(yè)應(yīng)用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2EHRC15 的特點(diǎn)通過 AEC-Q101 認(rèn)證短路耐受時(shí)間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內(nèi)置快速軟恢復(fù) FRD無鉛鍍鉛;符合…電話咨詢:86-755-83294757
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