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SCT3030ARC14是N溝道SiC功率MOSFET晶體管，650V 70A（Tc） 262W，通孔TO-247-4L。

產(chǎn)品屬性

制造商:ROHM Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):SiC

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-4

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:70 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:30 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 4 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V

Qg-柵極電荷:104 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:262 W

通道模式:Enhancement

系列:SCT3x

配置:Single

下降時間:21 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:9.4 S

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:22 ns

晶體管類型:1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間:27 ns

典型接通延遲時間:7 ns

零件號別名:SCT3030AR

單位重量:6 g

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