IXYN180N65A5模塊具有650V額定電壓、180A電流范圍以及低柵極電荷。該產(chǎn)品優(yōu)化用于需要0至5kHz開關(guān)頻率的應(yīng)用,具有以下主要規(guī)格:
IGBT 類型:-
配置:單路
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):340 A
功率 - 最大值:940 W
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.35V @ 15V,100A
電流 - 集電極截止(最大值):25 μA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies):8640 pF @ 25 V
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻:無
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227B
此外,IXYN180N65A5廣泛應(yīng)用于包括電源逆變器、PFC電路、燈具鎮(zhèn)流器、電池充電器和焊接機(jī)。
型號
品牌
封裝
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描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達(dá)150 kHz的開關(guān)能力,電流范圍為66A。高開關(guān)速度和低傳導(dǎo)損耗的結(jié)合為電源設(shè)計(jì)人員提供了一種新的高價(jià)值開關(guān)應(yīng)用選擇。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款I(lǐng)GBT(絕緣柵雙極型晶體管),主要用于10-30kHz的開關(guān)應(yīng)用。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.8V…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗。其特點(diǎn)和技術(shù)規(guī)格如下:特點(diǎn)經(jīng)過優(yōu)化用于低開關(guān)損耗正熱系數(shù)VCE(sat)國際標(biāo)準(zhǔn)封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅(qū)動要求低反向并聯(lián)sonic二…IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格:IGBT 類型:溝道電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):112 A電…IXYK220N65A5
IXYK220N65A5是一款I(lǐng)GBT(絕緣柵雙極晶體管),屬于Gen5 XPT?系列產(chǎn)品?。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):510 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):1.18 kA不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值)…IXA37IF1200HJ
IXA37IF1200HJ器件采用先進(jìn)的GenX3 IGBT工藝和極輕穿通(XPT)設(shè)計(jì)平臺制造,具有高電流處理能力、高速開關(guān)能力、低總能量損耗和低電流下降時間。該款I(lǐng)GBT器件具有正的集電極-發(fā)射極電壓溫度系數(shù),使得設(shè)計(jì)人員可以并聯(lián)使用多個器件來滿足高電流要求。其優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格如下…電話咨詢:86-755-83294757
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