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IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻，優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關損耗。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格：

IGBT 類型：溝道

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：112 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：240 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，32A

功率 - 最大值：600 W

開關能量：5.9mJ（導通），2.9mJ（關斷）

輸入類型：標準

柵極電荷：94 nC

25°C 時 Td（開/關）值：19ns/220ns

測試條件：960V，32A，5 歐姆，15V

反向恢復時間 (trr)：430 ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

此外，該款IXYH40N120B4H1溝槽式XPT晶體管非常適合用于功率逆變器、電機驅動、功率因數(shù)校正 (PFC) 電路和電池充電器應用。

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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