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ISC110N12NM6 [Infineon] N-通道功率MOSFET——120V，OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管，PG-TDSON-8

產(chǎn)品詳情：

型號：ISC110N12NM6

封裝：PG-TDSON-8

類型：N-通道功率 MOSFET 晶體管

ISC110N12NM6 產(chǎn)品屬性：

系列：OptiMOS? 6

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：120 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：11A（Ta），62A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：11 毫歐 @ 26A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 35μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：19.3 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1400 pF @ 60 V

功率耗散（最大值）：3W（Ta），94W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：SuperSO8

封裝/外殼：8-PowerTDFN

ISC110N12NM6 產(chǎn)品優(yōu)勢：

極低的導(dǎo)通電阻

極低的反向恢復(fù)電荷

出色的柵極電荷 x RDS(on)

高雪崩能量額定值

175°C 結(jié)溫額定值

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