商品名稱:GaN FET
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:8-PQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺,結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):110 毫歐 @ 12A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.1V @ 1.8mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):14.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):818 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):65.8W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝:8-PQFN(8x8)
此外,TP65H100G4LSGB采用動態(tài)RDS(on) 效生產(chǎn)測試,設(shè)計(jì)時(shí)考慮了寬門限安全裕度,適用于工業(yè)自動化、電源管理等場景。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
R5F562T7DDFP
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