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TP65H015G5WS 是一款采用 TO-247-3 封裝的 650V 15mΩ SuperGaN FET器件， 它將最先進的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結合，以提供卓越的可靠性和性能。具體參數如下：

FET 類型：N 通道

技術：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：93A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：18 毫歐 @ 60A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 2mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：100 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5218 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：266W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-3

此外，TP65H015G5WS通過 JEDEC 認證，具備瞬態(tài)過壓保護、抗浪涌電流能力。該GaN FET器件主要用于電動汽車的 車載充電器 （OBC）、 DC/DC轉換器 及 動力總成逆變器 ，可支持高功率密度、高效率的電力電子系統(tǒng)設計。

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